Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P40F10SN-5600, 100V, 40A, EETMOS3 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P40F10SN-5600 — это полупроводниковый прибор технологии EETMOS3 в корпусе FTO-220AG (SC91). Транзистор изготовлен по технологии EETMOS3 в корпусе FTO-220AG (SC91). Предназначен для монтажа с выводами через отверстия (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 40 А (постоянный), 160 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 44 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 10,7 мОм
• Корпус: FTO-220AG (SC91), монтаж THT
• Технология: EETMOS3
• Количество в комплекте: 20 шт.

Тип и канал

Прибор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Это означает, что транзистор открывается положительным напряжением на затворе.

Напряжение и ток

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 100 В. Постоянный ток стока — 40 А, а в импульсном режиме он может достигать 160 А. Напряжение на затворе ограничено ±20 В.

Мощность и сопротивление

Рассеиваемая мощность транзистора равна 44 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 10,7 мОм.

Монтаж и корпус