Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P30B10EL-5071, 100 В, 30 А, корпус TO252AA (40 шт.)

2 270 ₴

  • В наличии
  • Код: TM155680
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P30B10EL-5071, 100 В, 30 А, корпус TO252AA (40 шт.)
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P30B10EL-5071, 100 В, 30 А, корпус TO252AA (40 шт.)В наличии
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P30B10EL-5071 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 100 В и ток 30 А. Прибор изготовлен по технологии EETMOS2 в корпусе FB (TO252AA) для поверхностного монтажа (SMD). Поставляется комплектом из 40 штук.

  • Ток стока 30 А и импульсный ток 90 А
  • Напряжение сток-исток 100 В
  • Рассеиваемая мощность 44 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии 30 мОм
  • Корпус FB (TO252AA) для SMD монтажа
  • Комплект из 40 транзисторов

Мощность и ток

Транзистор работает с напряжением сток-исток 100 В и постоянным током стока 30 А. Импульсный ток стока может достигать 90 А, что позволяет выдерживать кратковременные пиковые нагрузки. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 44 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 30 мОм.

Технология EETMOS2

Устройство изготовлено по технологии EETMOS2. Напряжение управления затвор-исток составляет ±20 В. Общий заряд затвора равен 37 нКл.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе FB (TO252AA) для поверхностного монтажа (SMD).

Характеристики
Основные
Максимальная мощность рассеивания44 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток100 В
Максимально допустимый ток стока30 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)30 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте40 шт.
КорпусFB (TO252AA)
ПроизводительSHINDENGEN
ТехнологияEETMOS2
Информация для заказа
  • Цена: 2 270 ₴