Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVD5C688NLT4G, 60В, 12А, DPAK — набор 30 шт.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVD5C688NLT4G — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель рассчитана на рабочее напряжение 60 В и постоянный ток стока 12 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
• Постоянный ток стока: 12 А, импульсный: 77 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 27,4 мОм
• Корпус DPAK, монтаж SMD
• Набор из 30 транзисторов

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 12 А. Импульсный ток стока может достигать 77 А, что позволяет выдерживать кратковременные пиковые нагрузки. Сопротивление в открытом состоянии составляет 27,4 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±16 В.

Тепловые характеристики и монтаж

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 9 Вт. Прибор выполнен в корпусе DPAK с технологией монтажа SMD. Заряд затвора равен 7 нКл.

Комплектация

Товар поставляется набором из 30 шт.