Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTH4L040N120SC1, SiC, 1200 В, 41 А, TO247-4 (комплект 2 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTH4L040N120SC1 — это полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC). В комплект входят два транзистора в корпусе TO247-4 с монтажом THT.

• Технология SiC
• Напряжение сток-исток 1200 В
• Ток стока 41 А (импульсный до 232 А)
• Сопротивление в открытом состоянии 56 мОм
• Корпус TO247-4 с монтажом THT
• Комплект из 2 транзисторов

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1,2 кВ и ток стока 41 А. Импульсный ток стока составляет 232 А.

Технология SiC и низкое сопротивление

Технология SiC. Сопротивление в открытом состоянии составляет 56 мОм.

Рассеиваемая мощность и управление

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора — 160 Вт. Напряжение управления затвором находится в диапазоне от -15 до 25 В, а заряд затвора — 106 нКл.

Комплектация

В наборе 2 транзистора. Корпус TO247-4 имеет вывод Кельвина. Тип транзистора — N-MOSFET с каналом обогащения (обогащенный). Поляризация — униполярная.