Транзистор N-MOSFET SiC Nexperia NSF080120L3A0Q, 1200 В, 25 А, TO247-3

Транзистор N-MOSFET от бренда Nexperia, модель NSF080120L3A0Q, изготовлен по технологии SiC (карбид кремния). Имеет максимальное напряжение «сток-исток» 1,2 кВ и постоянный ток «стока» 25 А.

• Технология SiC (карбид кремния)
• Напряжение «сток-исток»: 1200 В
• Ток «стока»: 25 А
• Импульсный ток (Idm): 80 А
• Рассеиваемая мощность: 183 Вт
• Корпус TO247-3, монтаж THT

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение «сток-исток» 1,2 кВ и постоянный ток «стока» 25 А.

Технология SiC

Технология SiC (карбид кремния) позволяет работать при высоких напряжениях.

Импульсный ток и мощность

Максимальный импульсный ток «стока» (Idm) составляет 80 А, а рассеиваемая мощность — 183 Вт. Параметры Idm и мощности определяют допустимые пиковые нагрузки.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO247-3 с выводами для монтажа на плату (THT). Транзистор является униполярным с каналом обогащения, что определяет его тип как N-MOSFET.