Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDS355AN, 30В, 1,7А, SOT23, набор 40 шт
2 210 ₴
- В наличии
- Код: TM155557
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDS355AN, 30В, 1,7А, SOT23, набор 40 штВ наличии
2 210 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 40 транзисторов ONSEMI NDS355AN типа N-MOSFET в корпусе SOT23. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и работы с логическим уровнем управления.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 1,7 А
- Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Логический уровень управления (logic level)
- Набор: 40 шт.
Электрические характеристики
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 30 В, а максимальный ток стока — 1,7 А. Рассеиваемая мощность равна 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) — 0,23 Ом, заряд затвора — 5 нКл.
Корпус SOT23 и монтаж SMD
Компонент выполнен в корпусе SOT23. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Логический уровень управления
Транзистор имеет свойство "logic level", что указывает на низкий порог открывания. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 230 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 210 ₴