Транзистор ONSEMI MUN5111DW1T1G, PNP x2, SMD, 90 шт.

Транзистор ONSEMI MUN5111DW1T1G — это комплект из 90 биполярных транзисторов типа PNP (двойной) в корпусе SMD. Предназначен для поверхностного монтажа на плату, имеет встроенные резисторы базы и эмиттер-база номиналом 10 кОм.

• Тип транзистора: PNP x2 (двойной)
• Номинал резисторов базы и эмиттер-база: 10 кОм
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
• Ток коллектора: 0,1 А
• Мощность рассеивания: 0,187 Вт
• Корпус: SC70-6, SC88, SOT363 (монтаж SMD)
• Количество в комплекте: 90 шт.

Тип и структура

Компонент является биполярным транзистором типа BRT (Bias Resistor Transistor) с двойной структурой PNP x2. Это означает наличие двух транзисторов в одном корпусе с общими или независимыми выводами, в зависимости от схемы подключения.

Электрические характеристики

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 50 В, а максимальный ток коллектора — 0,1 А. Мощность рассеивания равна 0,187 Вт. Эти параметры определяют рабочий диапазон компонента в электрических цепях.

Встроенные резисторы

Транзистор имеет встроенные резисторы базы и эмиттер-база номиналом 10 кОм.