Диод TVS ONSEMI MMBZ20VALT1G — это защитный компонент в корпусе SOT23 для защиты от перенапряжения и ESD-разрядов. В комплекте поставляется 200 единиц.
- Напряжение пробоя 20 В для защиты от перенапряжения
- Импульсный ток до 1,4 А и мощность 40 Вт
- Корпус SOT23 для поверхностного монтажа (SMD)
- Двойная структура с общим анодом (2 канала)
- Ток утечки 50 нА
- Комплект из 200 диодов
Защита от перенапряжения
Диод имеет напряжение пробоя 20 В, что ограничивает импульсные перенапряжения. Максимальное обратное напряжение составляет 17 В, что является максимальным обратным напряжением.
Импульсная мощность и ток
Компонент выдерживает импульсный ток до 1,4 А и рассеивает импульсную мощность до 40 Вт. Компонент предназначен для защиты от импульсных перенапряжений. Структура «двойная, общий анод» имеет двойную структуру с общим анодом.
Компактный монтаж и характеристики
Диод выполнен в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Ток утечки составляет 50 нА. Допуск параметров ±5%.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток | 1.4 А |
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 17 В |
| Напряжение пробоя | 20 В |
| Дополнительные характеристики | |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Допуск | ±5% |
| Количество в комплекте | 200 шт. |
| Количество каналов | 2 |
| Корпус | SOT23 |
| Ток утечки | 50nA |
Информация для заказа
- Цена: 2 360 ₴

