Диодный мост TAIWAN SEMICONDUCTOR KBU807G, 8 А, 1000 В, корпус KBU — набор 10 шт.

Диодный мост TAIWAN SEMICONDUCTOR KBU807G — это электронный компонент в корпусе KBU с максимальным прямым током 8 А и максимальным постоянным обратным напряжением 1000 В.

• Максимальный прямой ток: 8 А
• Максимальное постоянное обратное напряжение: 1000 В
• Максимальное прямое напряжение: 1,1 В
• Максимально допустимый прямой импульсный ток: 200 А
• Тип монтажа: штыревой
• Корпус: KBU
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимальный прямой ток составляет 8 А, что определяет рабочий режим компонента. Максимальное постоянное обратное напряжение равно 1000 В, а максимальное прямое напряжение — 1,1 В. Максимально допустимый прямой импульсный ток составляет 200 А, что характеризует устойчивость к кратковременным перегрузкам.

Конструкция и монтаж

Компонент имеет штыревой тип монтажа и корпус KBU. Выводы выполнены в виде круглых штырей. Диодный мост является однофазным, а полупроводниковые элементы имеют стеклянную пассивацию (glass passivated).

Комплектация

В комплекте поставляется 10 шт. диодных мостов.