Диодный мост Taiwan Semiconductor KBL406G, 4 А, 800 В, корпус KBL — набор 20 шт.

Диодный мост Taiwan Semiconductor KBL406G — это полупроводниковый компонент в корпусе KBL с максимальным прямым током 4 А и максимальным постоянным обратным напряжением 800 В.

• Максимальный прямой ток: 4 А
• Максимальное постоянное обратное напряжение: 800 В
• Максимально допустимый прямой импульсный ток: 150 А
• Максимальное прямое напряжение: 1,1 В
• Тип монтажа: штыревой
• Корпус: KBL
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Максимальный прямой ток составляет 4 А, что определяет рабочий режим компонента. Максимальное постоянное обратное напряжение: 800 В. Максимально допустимый прямой импульсный ток: 150 А. Максимальное прямое напряжение составляет 1,1 В.

Конструкция и монтаж

Компонент имеет штыревой тип монтажа. Корпус типа KBL.

Дополнительные характеристики и комплектация

В комплект поставки входят 20 шт. диодных мостов KBL406G. Выводы компонента выполнены в виде круглых штырьков. Элементы имеют стеклянное пассивирование (glass passivated). Исполнение — плоское.