Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY14N60X2, 600 В, 14 А, DPAK — набор 5 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY14N60X2 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется комплектом из 5 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 14 А (в импульсе до 18 А)
• Рассеиваемая мощность: 180 Вт
• Корпус DPAK для SMD-монтажа
• Комплектация: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 14 А. В импульсном режиме ток может достигать 18 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 180 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,25 Ом.

Конструкция и монтаж

Прибор имеет униполярную структуру и канал обогащения типа N-MOSFET. Максимальное напряжение между затвором и истоком составляет ±30 В, а заряд затвора — 16,7 нКл. Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD).