Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ60N20T, 200В, 60А, 500Вт, TO3P — набор 5 шт.

Транзистор IXYS IXTQ60N20T — это силовой N-канальный MOSFET в корпусе TO3P для монтажа на плату. Комплект состоит из 5 единиц, предназначенных для работы с напряжением до 200 В и током до 60 А.

• Максимальная мощность рассеивания: 500 Вт
• Напряжение сток-исток: 200 В
• Ток стока: 60 А
• Корпус: TO3P
• Тип монтажа: THT
• Время готовности: 118 нс
• Количество в комплекте: 5 шт.

Мощность и электрические параметры

Максимальная мощность рассеивания составляет 500 Вт. Максимально допустимое напряжение сток-исток равно 200 В, а максимально допустимый ток стока — 60 А. Эти характеристики определяют рабочий диапазон компонента в электрических схемах.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO3P. Монтаж осуществляется методом THT (through-hole technology), то есть выводы проходят сквозь отверстия в плате.

Технические особенности

Время готовности транзистора составляет 118 нс, что определяет скорость его переключения. Компонент относится к типу N-MOSFET с каналом типа enhancement (обогащенный). Заряд затвора равен 73 нКл. Транзистор изготовлен по технологии trench gate power mosfet.