Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ170N10P, 100В, 170А, 715Вт, TO3P — набор 2 шт.
2 440 ₴
- В наличии
- Код: TM154274
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ170N10P, 100В, 170А, 715Вт, TO3P — набор 2 шт.В наличии
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ170N10P — полупроводниковый прибор в корпусе TO3P. Комплект состоит из 2 единиц.
- Максимальная мощность рассеивания 715 Вт
- Ток стока до 170 А
- Напряжение сток-исток 100 В
- Корпус TO3P, монтаж вставной
- Комплект: 2 шт.
- Время готовности 120 нс
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 715 Вт. Максимально допустимый ток стока равен 170 А.
Скорость переключения
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В. Время готовности равно 120 нс.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе TO3P с типом монтажа вставной. Технология изготовления — Polar™.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 715 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 170 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 120 нс |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO3P |
Информация для заказа
- Цена: 2 440 ₴