Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP60N20T, 200В, 60А, TO220AB — набор 3 шт.
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM154273
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP60N20T, 200В, 60А, TO220AB — набор 3 шт.В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXTP60N20T от производителя IXYS — это полупроводниковый прибор с обогащением канала, с номинальным током стока 60 А при напряжении 200 В. Корпус TO220AB, рассеиваемая мощность 500 Вт.
- Ток стока: 60 А
- Напряжение сток-исток: 200 В
- Рассеиваемая мощность: 500 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 40 мОм
- Корпус: TO220AB
- Время готовности: 118 нс
- Тип монтажа: THT
- Количество в комплекте: 3 шт.
Тип транзистора и канал
Транзистор является N-MOSFET с обогащением канала (enhancement mode). Поляризация — униполярная. Технология изготовления — trench gate power MOSFET. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 40 мОм. Заряд затвора составляет 73 нКл.
Мощность и монтаж
Рассеиваемая мощность составляет 500 Вт. Время готовности составляет 118 нс. Монтаж выполняется методом THT (through-hole technology).
Комплектация
Товар продается набором из 3 штук.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 500 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 60 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 118 нс |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴