Транзистор N-MOSFET IXYS IXTK200N10P, 100В, 200А, TO264 (2 шт.)
2 190 ₴
- В наличии
- Код: TM154266
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTK200N10P, 100В, 200А, TO264 (2 шт.)В наличии
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTK200N10P — силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO264, рассчитанный на ток 200 А и напряжение 100 В. Комплект состоит из двух штук.
- Ток стока 200 А
- Напряжение сток-исток 100 В
- Рассеиваемая мощность 800 Вт
- Корпус TO264, монтаж THT
- Технология PolarHT™
- Комплект: 2 шт.
Мощность и ток
Транзистор имеет номинальный ток стока 200 А и напряжение сток-исток 100 В. Рассеиваемая мощность составляет 800 Вт.
Технология и монтаж
Используется технология PolarHT™. Монтаж выполняется методом THT (выводной монтаж).
Скорость переключения
Время включения транзистора составляет 100 нс. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 7,5 мОм. Заряд затвора — 240 нКл. Канал обогащенного типа, полярность униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 800 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 200 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7.5 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 100 нс |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO264 |
| Технология | PolarHT™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 190 ₴