Транзистор N-MOSFET IXYS IXFK80N65X2, 650В, 80А, TO264P

IXFK80N65X2 — это полупроводниковый прибор типа N-MOSFET от производителя IXYS, с максимальными параметрами: напряжение сток-исток 650 В, ток стока 80 А. Компонент выполнен в корпусе TO264P с выводами для монтажа на печатную плату (THT) и использует технологию Ultra Junction X-Class.

• Тип транзистора: N-MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 80 А
• Рассеиваемая мощность: 890 Вт
• Корпус: TO264P (монтаж THT)
• Сопротивление в открытом состоянии: 38 мОм
• Время переключения: 200 нс
• Технология: Ultra Junction X-Class

Электрические параметры и мощность

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 80 А. Рассеиваемая мощность составляет 890 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 38 мОм.

Быстродействие и управление

Время переключения (switching time) составляет 200 нс, что определяет скорость переключения прибора. Заряд затвора равен 0,14 мкКл. Прибор является униполярным с каналом обогащения (enhancement mode).