IXYS IXFB82N60P — это полупроводниковый прибор типа N-MOSFET с технологией Polar™, активный электронный компонент. Транзистор имеет номинальное напряжение 600 В и ток 82 А, что определяет его рассеиваемую мощность 1250 Вт.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение: 600 В
- Ток: 82 А
- Мощность: 1250 Вт
- Время готовности: 200 нс
- Корпус: PLUS264™ (THT)
Электрические характеристики
Прибор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 600 В, а постоянный ток стока — 82 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 75 мОм. Напряжение на затворе ограничено ±30 В.
Быстродействие
Время готовности транзистора составляет 200 нс. Общий заряд затвора — 240 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 1250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 82 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 200 нс |
| Корпус | PLUS264™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 500 ₴

