Транзистор IGBT IXYS IXBT16N170AHV, 10 А, 150 Вт, TO268HV — набор 2 шт.
2 450 ₴
- В наличии
- Код: TM154238
Транзистор IGBT IXYS IXBT16N170AHV, 10 А, 150 Вт, TO268HV — набор 2 шт.В наличии
2 450 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор IGBT производства IXYS, модель IXBT16N170AHV. В комплект входят 2 единицы компонента в корпусе TO268HV.
- Максимальная мощность рассеивания 150 Вт
- Максимально допустимый ток коллектора 10 А
- Технология BiMOSFET™
- Корпус TO268HV для SMD монтажа
- В комплекте 2 транзистора
Высокая мощность рассеивания
Компонент имеет максимальную мощность рассеивания 150 Вт. Максимальная мощность рассеивания составляет 150 Вт.
Максимально допустимый ток коллектора
Максимально допустимый ток коллектора составляет 10 А.
Технология BiMOSFET™
Транзистор изготовлен по технологии BiMOSFET™.
Удобный монтаж
Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе TO268HV. Тип монтажа: SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 10 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO268HV |
| Технология | BiMOSFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 450 ₴