Транзистор IGBT IXYS IXBT16N170A, 1,7 кВ, 10 А, TO268 — набор 2 шт.

Транзистор IGBT IXYS IXBT16N170A — это полупроводниковый прибор технологии BiMOSFET™ в корпусе TO268 для монтажа SMD. Комплект состоит из 2 штук, что обеспечивает необходимое количество компонентов для сборки электронных узлов.

• Технология BiMOSFET™
• Напряжение коллектор-эмиттер 1,7 кВ
• Постоянный ток коллектора 10 А
• Импульсный ток до 40 А
• Рассеиваемая мощность 150 Вт
• Корпус TO268 для монтажа SMD
• Комплект из 2 транзисторов

Высоковольтные характеристики

Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 1,7 кВ и постоянный ток коллектора 10 А. Импульсный ток коллектора составляет 40 А.

Быстрая коммутация и управление

Время включения составляет 43 нс, а время выключения — 370 нс. Заряд затвора составляет 65 нКл, что определяет требования к драйверу управления.

Тепловые характеристики и монтаж

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 150 Вт. Напряжение затвор-эмиттер ограничено ±20 В, что определяет требования к драйверу управления. Компонент выполнен в корпусе TO268 для поверхностного монтажа (SMD).

Комплект состоит из 2 штук.