Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL014NTRPBF, 55В, 2А, SOT223, комплект 30 шт.
1 990 ₴
- В наличии
- Код: TM154068
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL014NTRPBF, 55В, 2А, SOT223, комплект 30 шт.В наличии
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 30 транзисторов N-MOSFET Infineon IRLL014NTRPBF в корпусе SOT223. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и работы в схемах с логическим уровнем управления.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 55 В
- Ток стока: 2 А
- Мощность рассеивания: 2,1 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Технические характеристики
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 55 В, а постоянный ток стока — 2 А. Мощность рассеивания равна 2,1 Вт.
Технология и монтаж
Изделие изготовлено по технологии HEXFET®. Компонент имеет корпус SOT223 и предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация и логический уровень
В набор входит 30 единиц транзисторов. Транзисторы обладают свойством логического уровня (logic level), что означает низкое пороговое напряжение затвор-исток.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 990 ₴