Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4668PBFXKMA1, 200 В, 130 А, TO247AC (набор 5 шт.)
2 790 ₴
- В наличии
- Код: TM154058
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4668PBFXKMA1, 200 В, 130 А, TO247AC (набор 5 шт.)В наличии
2 790 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4668PBFXKMA1 — это транзистор N-MOSFET в корпусе TO247AC, максимальное напряжение 200 В, максимальный ток 130 А. Товар поставляется набором из 5 штук.
- Ток стока 130 А
- Напряжение сток-исток 200 В
- Рассеиваемая мощность 520 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 9,7 мОм
- Корпус TO247AC, монтаж THT
- Набор из 5 транзисторов
Мощность и ток
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 130 А и рассеивание мощности до 520 Вт.
Электрические характеристики
Максимальное напряжение сток-исток составляет 200 В, а напряжение затвор-исток — ±30 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 9,7 мОм. Общий заряд затвора составляет 161 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO247AC с технологией HEXFET®. Монтаж осуществляется выводным методом (THT).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 520 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 130 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9.7 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 790 ₴