Транзистор N-MOSFET Infineon IRFI1310NPBF, 100 В, 22 А, TO220FP (набор 20 шт.)
2 570 ₴
- В наличии
- Код: TM154050
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFI1310NPBF, 100 В, 22 А, TO220FP (набор 20 шт.)В наличии
2 570 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFI1310NPBF — это униполярный компонент с каналом обогащения, N-MOSFET транзистор. Комплект состоит из 20 единиц в корпусе TO220FP, с монтажом THT.
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 22 А
- Рассеиваемая мощность: 45 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 36 мОм
- Корпус: TO220FP
- Комплектация: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 100 В и выдерживает ток стока 22 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 45 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 36 мОм.
Технология и управление
Компонент изготовлен по технологии HEXFET®. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а полный заряд затвора составляет 80 нКл.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа THT (выводной) позволяет устанавливать транзистор в отверстия платы и фиксировать его пайкой.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 45 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 22 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 570 ₴