Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBF20SPBF, 900 В, 1,1 А, корпус D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBF20SPBF — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель рассчитана на высокое напряжение до 900 В и постоянный ток 1,1 А. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе D2PAK (TO263) для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 900 В
• Ток стока: 1,1 А (постоянный), 6,8 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 54 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
• Комплектация: набор из 10 штук

Электрические параметры и мощность

Транзистор выдерживает напряжение между стоком и истоком до 900 В. Номинальный ток стока составляет 1,1 А, а импульсный ток может достигать 6,8 А. Максимальная рассеиваемая мощность равна 54 Вт. Напряжение на затворе ограничено ±20 В. Сопротивление в состоянии проводности составляет 8 Ом, а заряд затвора — 38 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе D2PAK, который также известен как TO263. Монтаж: SMD (поверхностный).

Комплект поставки

Внимание: данный товар является набором, содержащим 10 транзисторов IRFBF20SPBF.