Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4410ZPBF, 100 В, 97 А, TO220AB (набор 10 шт.)
2 090 ₴
- В наличии
- Код: TM154046
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4410ZPBF, 100 В, 97 А, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4410ZPBF — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 100 В и ток 97 А. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе TO220AB для монтажа на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 97 А
- Рассеиваемая мощность: 230 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 9 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Прибор имеет максимальную рассеиваемую мощность 230 Вт и сопротивление в открытом состоянии 9 мОм. Напряжение между затвором и истоком составляет ±20 В, а суммарный заряд затвора — 83 нКл. Эти характеристики определяют рабочие режимы транзистора в электрических схемах.
Корпус и технология
Транзистор изготовлен по технологии HEXFET® в стандартном корпусе TO220AB. Монтаж выполняется в отверстия печатной платы (THT).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 230 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 97 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 090 ₴