Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4332PBF, 250V, 60A, TO220AB (набор 10 шт.)
2 350 ₴
- В наличии
- Код: TM154045
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4332PBF, 250V, 60A, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4332PBF — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 10 единиц.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 250 В
- Ток стока: 60 А
- Рассеиваемая мощность: 390 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектация: 10 шт.
Мощность и ток
Прибор рассчитан на напряжение сток-исток 250 В и постоянный ток стока 60 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 390 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 33 мОм.
Основные характеристики
Транзистор IRFB4332PBF является униполярным N-MOSFET с каналом обогащенного типа. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В, заряд затвора составляет 99 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 390 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 250 В |
| Максимально допустимый ток стока | 60 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 33 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 350 ₴