Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3207PBF, 75В, 120А, TO220AB, 10 шт.
2 360 ₴
- В наличии
- Код: TM154044
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3207PBF, 75В, 120А, TO220AB, 10 шт.В наличии
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3207PBF — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель изготовлена по технологии HEXFET® в корпусе TO220AB для монтажа на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 75 В
- Ток стока: 120 А
- Мощность рассеивания: 330 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 4,5 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры и технология
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 75 В и постоянный ток стока 120 А. Мощность рассеивания составляет 330 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 4,5 мОм, а заряд затвора — 180 нКл. Прибор изготовлен по технологии HEXFET®.
Корпус и монтаж
Прибор имеет корпус TO220AB с выводами для установки на печатную плату (THT). Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 330 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 75 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 360 ₴