Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3206PBF, 60V, 150A, TO220AB — набор 10 шт.
2 240 ₴
- В наличии
- Код: TM154043
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3206PBF, 60V, 150A, TO220AB — набор 10 шт.В наличии
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IRFB3206PBF. Это униполярный компонент с напряжением сток-исток 60 В и током стока 150 А. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220AB.
- Ток стока 150 А
- Напряжение сток-исток 60 В
- Рассеиваемая мощность 300 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 3 мОм
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Набор из 10 транзисторов
Электрические характеристики
Транзистор работает с напряжением сток-исток 60 В и выдерживает ток стока до 150 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 300 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 3 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO220AB. Монтаж осуществляется методом THT (навесной монтаж), что позволяет устанавливать транзистор в отверстия печатных плат. Используется технология HEXFET®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 150 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 240 ₴