Транзистор Infineon IRF7309TRPBF, N/P-MOSFET, SO8, 30 шт.
2 380 ₴
- В наличии
- Код: TM154039
Транзистор Infineon IRF7309TRPBF, N/P-MOSFET, SO8, 30 шт.В наличии
2 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 30 транзисторов Infineon IRF7309TRPBF в корпусе SO8. Это комплементарная пара N-канальных и P-канальных MOSFET-транзисторов для поверхностного монтажа (SMD).
- Комплект из 30 транзисторов
- Корпус SO8 для SMD-монтажа
- Напряжение сток-исток 30/-30 В
- Ток стока 4/-3 А
- Мощность рассеивания 1,4 Вт
- Технология HEXFET®
Напряжение и ток
Транзисторы рассчитаны на напряжение сток-исток 30/-30 В. Максимальный ток стока составляет 4/-3 А. Мощность рассеивания равна 1,4 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) для N-канала составляет 50 мОм, для P-канала — 100 мОм. Транзисторы изготовлены по технологии HEXFET®.
Монтаж и корпус
В комплекте 30 единиц компонентов. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж) в корпусе SO8. Каналы являются обогащаемыми (enhancement mode).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.4 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 380 ₴