Транзистор N-MOSFET Infineon IRF530NPBF, 100 В, 17 А, TO220AB (набор 20 шт.)
1 850 ₴
- В наличии
- Код: TM154037
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF530NPBF, 100 В, 17 А, TO220AB (набор 20 шт.)В наличии
1 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF530NPBF — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB для монтажа на плату. Комплект состоит из 20 единиц.
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
- Максимально допустимый ток стока: 17 А
- Максимальная мощность рассеивания: 79 Вт
- Корпус TO220AB для монтажа в отверстия (THT)
- Технология изготовления: HEXFET®
- Комплект: 20 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, а максимально допустимый ток стока — 17 А. Максимальная мощность рассеивания: 79 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO220AB с технологией выводов для монтажа в отверстия (THT). Корпус TO220AB.
Технология и комплектация
Технология изготовления: HEXFET®. В наборе поставляется 20 шт. компонентов.
Транзистор IRF530NPBF является N-MOSFET с параметрами 100 В, 17 А, 79 Вт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 79 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 17 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 850 ₴