Транзистор P-MOSFET Infineon IRF5210STRLPBF, D2PAK, 10 шт.
2 230 ₴
- В наличии
- Код: TM154036
Транзистор P-MOSFET Infineon IRF5210STRLPBF, D2PAK, 10 шт.В наличии
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-MOSFET транзистор Infineon IRF5210STRLPBF в корпусе D2PAK для SMD-монтажа. Комплект содержит 10 единиц с технологией HEXFET®.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -100 В
- Ток стока: -40 А
- Мощность рассеивания: 3,8 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным P-типа с обогащенным каналом. Номинальное напряжение сток-исток составляет -100 В, а ток стока — -40 А. Мощность рассеивания ограничена 3,8 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе D2PAK, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD). Компонент изготовлен по технологии HEXFET®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.8 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 230 ₴