Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1405PBF, 55 В, 133 А, TO220AB, набор 10 шт.
2 240 ₴
- В наличии
- Код: TM154035
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Infineon IRF1405PBF в корпусе TO220AB. Монтаж в отверстия (THT). Максимальный постоянный ток стока составляет 133 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
- Ток стока: 133 А
- Мощность рассеивания: 200 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 5,3 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Технология: HEXFET®
- Количество в наборе: 10 шт.
Ключевые электрические параметры
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 55 В, а постоянный ток стока — 133 А. Мощность рассеивания достигает 200 Вт. Напряжение на затворе ограничено ±20 В.
Сопротивление и заряд затвора
Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 5,3 мОм. Общий заряд затвора (Qg) составляет 170 нКл. Транзистор изготовлен по технологии HEXFET® от Infineon Technologies, что определяет его конструктивные особенности и электрические характеристики.
Технология HEXFET®
В состав набора входит 10 единиц транзисторов. Корпус TO220AB и тип монтажа THT (through-hole technology) позволяют устанавливать компоненты непосредственно на печатную плату.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 133 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5.3 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
- Цена: 2 240 ₴