Транзистор N-MOSFET Infineon IPP65R125C7XKSA1, 650В, 18А, 5 шт.
2 170 ₴
- В наличии
- Код: TM154024
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP65R125C7XKSA1, 650В, 18А, 5 шт.В наличии
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 5 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPP65R125C7XKSA1. Транзисторы с напряжением сток-исток до 650 В и током стока до 18 А.
- Напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 18 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,125 Ом
- Корпус: PG-TO220-3
- Технология: CoolMOS™
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Транзисторы имеют напряжение сток-исток 650 В и максимальный ток стока 18 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,125 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность — 101 Вт.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе PG-TO220-3. Монтаж осуществляется выводным методом (THT).
Технология и комплектация
Используется технология CoolMOS™. В комплекте поставляется 5 одинаковых транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 101 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 18 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | CoolMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 170 ₴