Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R180P7XKSA1, 650 В, 11 А, CoolMOS P7, набор 10 шт.
2 840 ₴
- В наличии
- Код: TM154023
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R180P7XKSA1, 650 В, 11 А, CoolMOS P7, набор 10 шт.В наличии
2 840 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Infineon IPP60R180P7XKSA1 на технологии CoolMOS™ P7. Транзистор с рабочим напряжением до 650 В. Изготовлены в корпусе PG-TO220-3 для монтажа в отверстия (THT).
- Технология CoolMOS™ P7
- Напряжение сток-исток 650 В
- Ток стока 11 А, импульсный ток 53 А
- Сопротивление в состоянии проводимости 0,18 Ом
- Корпус PG-TO220-3, монтаж THT
- Набор из 10 транзисторов
Технология CoolMOS™ P7
Компоненты изготовлены по технологии CoolMOS™ P7. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,18 Ом.
Токовые параметры и напряжение
Ток стока составляет 11 А, импульсный ток — 53 А. Максимальная рассеиваемая мощность — 72 Вт. Напряжение сток-исток — 650 В.
Корпус и монтаж
Корпус PG-TO220-3. Тип монтажа THT (в отверстия). Версия ESD. Напряжение затвор-исток ±20 В.
Тип транзистора и управление
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 72 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 180 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
Информация для заказа
- Цена: 2 840 ₴