Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R099C6XKSA1, 600V, 37.9A, CoolMOS C6, набор 5 шт.

Набор из 5 транзисторов N-MOSFET Infineon IPP60R099C6XKSA1 изготовлен по технологии CoolMOS™ C6. Компоненты имеют номинальное напряжение 600 В и ток стока 37,9 А.

• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 37,9 А
• Рассеиваемая мощность: 278 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 99 мОм
• Технология: CoolMOS™ C6
• Корпус: PG-TO220-3 (THT)
• Количество в наборе: 5 шт.

Электрические параметры

Транзисторы работают с напряжением сток-исток до 600 В и максимальным током стока 37,9 А. Эти параметры определяют рабочий диапазон компонента в электрических цепях.

Рассеиваемая мощность

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 278 Вт, что позволяет компонентам работать в жестких температурных режимах. Такая характеристика важна для компактных устройств, где отвод тепла ограничен.

Технология и сопротивление

Компоненты изготовлены по технологии CoolMOS™ C6, обеспечивающей низкое сопротивление в открытом состоянии 99 мОм. Это снижает потери энергии и нагрев транзистора во время работы. Низкое сопротивление критично для повышения общего КПД устройства.

Монтаж и комплектация

Транзисторы имеют корпус PG-TO220-3 и предназначены для вывода на печатную плату (THT). Тип монтажа THT позволяет устанавливать компоненты на печатные платы.