Транзистор N-MOSFET Infineon IPP111N15N3GXKSA1, 150 В, 83 А, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP111N15N3GXKSA1 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, N-MOSFET транзистор. Комплект состоит из 10 штук в корпусе PG-TO220-3.

• Ток стока 83 А
• Напряжение сток-исток 150 В
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 11,1 мОм (технология OptiMOS™ 3)
• Рассеиваемая мощность 214 Вт
• Корпус PG-TO220-3 с монтажом THT
• Комплект из 10 транзисторов

Мощность и ток

Транзистор рассчитан на максимальный ток стока 83 А и напряжение сток-исток 150 В. Рассеиваемая мощность составляет 214 Вт, что требует эффективного отвода тепла.

Низкое сопротивление и технология OptiMOS™ 3

Благодаря технологии OptiMOS™ 3 транзистор имеет низкое сопротивление в открытом состоянии 11,1 мОм.

Удобный монтаж THT

Компонент выполнен в корпусе PG-TO220-3 с выводами для установки в отверстия (THT). Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Униполярная структура транзистора и канал обогащения. Транзистор является униполярным. Канал транзистора является обогащаемым.