Транзистор N-MOSFET Infineon IPP072N10N3GXKSA1, 100В, 80А, комплект 10 шт.
2 330 ₴
- В наличии
- Код: TM154019
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP072N10N3GXKSA1, 100В, 80А, комплект 10 шт.В наличии
2 330 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 10 транзисторов N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPP072N10N3GXKSA1. Монтаж: THT (в отверстия) в корпусе PG-TO220-3.
- Комплект: 10 шт.
- Тип: N-MOSFET, канал с индуцированным типом
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 80 А
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 7,2 мОм
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
Напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением сток-исток 100 В и выдерживает ток стока 80 А. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Мощность и сопротивление
Рассеиваемая мощность составляет 150 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 7,2 мОм.
Корпус и монтаж
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 80 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7.2 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 330 ₴