Транзистор N-MOSFET Infineon IPI80N06S407AKSA2, 60 В, 58 А, OptiMOS-T2, корпус PG-TO262-3 — набор 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPI80N06S407AKSA2 — это полупроводниковый прибор с технологией OptiMOS®-T2. Модель имеет номинальный ток 58 А и напряжение 60 В.

• Ток стока 58 А
• Пиковый ток 320 А
• Низкое сопротивление открытого канала 7,4 мОм
• Рассеиваемая мощность 79 Вт
• Технология OptiMOS®-T2 от Infineon
• Набор из 20 транзисторов в корпусе PG-TO262-3

Параметры тока и напряжения

Транзистор имеет постоянный ток стока 58 А и напряжение сток-исток 60 В. Пиковый ток в импульсном режиме составляет 320 А. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.

Мощность и сопротивление

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 79 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 7,4 мОм. Заряд затвора составляет 27 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе PG-TO262-3 с технологией монтажа THT. Тип транзистора — N-MOSFET с обогащением канала. Поляризация — униполярная.

Комплектация

Товар поставляется набором из 20 транзисторов.