Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R900P7ATMA1, 800 В, 3,9 А, PG-TO252-3, набор 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R900P7ATMA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 800 В и ток 3,9 А. Товар поставляется набором из 20 штук в корпусе PG-TO252-3 для поверхностного монтажа (SMD).

• Набор из 20 транзисторов
• Технология CoolMOS™ P7
• Корпус PG-TO252-3 для SMD монтажа
• Напряжение 800 В, ток 3,9 А
• Рассеиваемая мощность 45 Вт
• Версия ESD

Технология и защита

Прибор изготовлен по технологии CoolMOS™ P7. Версия: ESD.

Электрические параметры

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 800 В, а постоянный ток стока — 3,9 А. Рассеиваемая мощность ограничена 45 Вт, а сопротивление в открытом состоянии равно 0,9 Ом. Напряжение на затворе может изменяться в пределах ±20 В, а заряд затвора составляет 15 нКл. Канал транзистора — обогащенный.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе PG-TO252-3, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD). Полярность прибора — униполярная, тип транзистора — N-MOSFET.