Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K2P7, 800В, 3,1А, PG-TO252-3 (IPD80R1K2P7ATMA1) — набор 20 шт.
2 900 ₴
- В наличии
- Код: TM154013
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K2P7, 800В, 3,1А, PG-TO252-3 (IPD80R1K2P7ATMA1) — набор 20 шт.В наличии
2 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K2P7. Модель выполнена в корпусе PG-TO252-3 для поверхностного монтажа (SMD) и изготовлена по технологии CoolMOS™ P7.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 3,1 А
- Рассеиваемая мощность: 37 Вт
- Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
- Технология: CoolMOS™ P7, версия ESD
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 800 В. Максимальный ток стока составляет 3,1 А, а рассеиваемая мощность — 37 Вт. Эти параметры определяют рабочие характеристики компонента.
Технология CoolMOS™ P7
Компонент изготовлен по технологии CoolMOS™ P7. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 1200 мОм. Заряд затвора равен 11 нКл.
Защита ESD и монтаж
Компонент имеет версию ESD. Монтаж осуществляется методом SMD в корпусе PG-TO252-3. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В.
Транзистор Infineon IPD80R1K2P7 является полупроводниковым компонентом для электронных схем.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 37 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
Информация для заказа
- Цена: 2 900 ₴