Транзистор N-MOSFET Infineon IPD70R900P7S, 700 В, 3,5 А, 30,5 Вт, PG-TO252-3 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPD70R900P7S — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе PG-TO252-3 для монтажа на поверхность (SMD). Комплект состоит из 20 единиц.

• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 В
• Максимально допустимый ток стока: 3,5 А
• Максимальная мощность рассеивания: 30,5 Вт
• Корпус: PG-TO252-3 (SMD монтаж)
• Технология: CoolMOS™
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 700 В. Максимальный ток стока равен 3,5 А, а мощность рассеивания — 30,5 Вт. Эти характеристики определяют рабочие параметры прибора.

Технология и корпус

Прибор изготовлен по технологии CoolMOS™, которая является фирменным решением производителя. Корпус PG-TO252-3 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Тип транзистора — N-MOSFET (полевой).