Транзистор N-MOSFET Infineon IPD025N06NATMA1, 60 В, 90 А, PG-TO252-3, 20 шт.
3 570 ₴
- В наличии
- Код: TM154011
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD025N06NATMA1, 60 В, 90 А, PG-TO252-3, 20 шт.В наличии
3 570 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET Infineon IPD025N06NATMA1 в корпусе PG-TO252-3. Максимальный ток стока 90 А, максимальное напряжение сток-исток 60 В.
- Ток стока до 90 А
- Напряжение сток-исток 60 В
- Сопротивление в открытом состоянии 2,5 мОм
- Рассеиваемая мощность 167 Вт
- Корпус PG-TO252-3 для SMD монтажа
- Технология OptiMOS™
- Набор из 20 штук
Электрические параметры
Максимально допустимый ток стока: 90 А.
Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 2,5 мОм.
Технология и мощность
Технология: OptiMOS™.
Максимальная рассеиваемая мощность: 167 Вт.
Конструкция и монтаж
Корпус: PG-TO252-3.
Тип монтажа: Поверхностный.
Комплектация
В комплекте 20 шт.
Дополнительные параметры
Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В.
Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 167 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 90 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технология | OptiMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 3 570 ₴