Транзистор N-MOSFET Infineon IPB180N04S4H0, 40 В, 180 А, корпус PG-TO263-7 (IPB180N04S4H0ATMA1) — набор 10 шт.
3 500 ₴
- В наличии
- Код: TM154010
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB180N04S4H0, 40 В, 180 А, корпус PG-TO263-7 (IPB180N04S4H0ATMA1) — набор 10 шт.В наличии
3 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор Infineon IPB180N04S4H0 — это мощный N-канальный MOSFET с технологией OptiMOS™ T2. Транзистор Infineon IPB180N04S4H0 — это N-канальный MOSFET с технологией OptiMOS™ T2. Компонент имеет рабочий ток 180 А и напряжение 40 В.
- Ток стока 180 А
- Напряжение сток-исток 40 В
- Технология OptiMOS™ T2
- Сопротивление в открытом состоянии 1,1 мОм
- Корпус PG-TO263-7 (монтаж SMD)
- Набор из 10 транзисторов
Высокая мощность и ток
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 180 А и рассеивание мощности до 250 Вт. Рассеивание мощности составляет 250 Вт.
Эффективная технология OptiMOS™ T2
Применение технологии OptiMOS™ T2 обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии (1,1 мОм) и заряд затвора 173 нКл. Заряд затвора составляет 173 нКл.
Удобный монтаж SMD
Компонент выполнен в корпусе PG-TO263-7 с типом монтажа SMD. Тип монтажа — SMD.
Надежное напряжение затвора и полярность
Компонент является униполярным с каналом обогащения. Допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Товар поставляется набором из 10 штук.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 180 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.1 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO263-7 |
| Технология | OptiMOS™ T2 |
Информация для заказа
- Цена: 3 500 ₴