Транзистор N-MOSFET Infineon IPB117N20NFDATMA1, 200 В, 84 А, 300 Вт, PG-TO263-3 (5 шт.)
2 540 ₴
- В наличии
- Код: TM154009
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB117N20NFDATMA1, 200 В, 84 А, 300 Вт, PG-TO263-3 (5 шт.)В наличии
2 540 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB117N20NFDATMA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Комплект состоит из 5 штук в корпусе PG-TO263-3, что обеспечивает удобный монтаж на поверхность (SMD).
- Комплект из 5 транзисторов N-MOSFET
- Напряжение сток-исток 200 В
- Ток стока 84 А
- Рассеиваемая мощность 300 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости 11,7 мОм
- Корпус PG-TO263-3 для SMD монтажа
Мощность и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 200 В и ток стока 84 А. Рассеиваемая мощность составляет 300 Вт.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Благодаря технологии OptiMOS™ FD сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) снижено до 11,7 мОм.
Удобный монтаж и надежность
Корпус PG-TO263-3, монтаж SMD. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Компонент является униполярным с каналом обогащения (N-MOSFET).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 84 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 11.7 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технология | OptiMOS™ FD |
Информация для заказа
- Цена: 2 540 ₴