Транзистор N-MOSFET Infineon IPB014N06NATMA1, 60В, 180А, PG-TO263-7 (комплект 10 шт.)
3 450 ₴
- В наличии
- Код: TM154008
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB014N06NATMA1, 60В, 180А, PG-TO263-7 (комплект 10 шт.)В наличии
3 450 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB014N06NATMA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе PG-TO263-7 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию OptiMOS™. Товар поставляется комплектом из 10 штук.
- Ток стока 180 А
- Напряжение сток-исток 60 В
- Рассеиваемая мощность 214 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости 1,4 мОм
- Корпус PG-TO263-7 (SMD)
- Комплект из 10 штук
Высокая мощность и ток
Компонент работает с током стока до 180 А при напряжении сток-исток 60 В. Рассеиваемая мощность составляет 214 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости — 1,4 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Технология OptiMOS™
Транзистор изготовлен по технологии OptiMOS™ от Infineon Technologies.
Корпус PG-TO263-7 и монтаж SMD
Компонент выполнен в корпусе PG-TO263-7. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 214 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 180 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.4 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO263-7 |
| Технология | OptiMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 3 450 ₴