Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R650CEXKSA2, 800 В, 8 А, TO220-3 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R650CEXKSA2 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, с максимально допустимым напряжением 800 В и током до 8 А. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
• Максимальный ток стока: 8 А
• Рассеиваемая мощность: 33 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,56 Ом
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Комплект: 10 шт.

Высоковольтная работа

Прибор работает с напряжением сток-исток до 800 В. Максимальный ток стока составляет 8 А, а рассеиваемая мощность — 33 Вт.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводности равно 0,56 Ом.

Заряд затвора и тип канала

Заряд затвора составляет 45 нКл. Канал является обогащаемым (enhancement mode).