Транзистор IGBT Infineon IGB10N60TATMA1, 600 В, 10 А, D2PAK — набор 10 шт.
2 000 ₴
- В наличии
- Код: TM153966
Транзистор IGBT Infineon IGB10N60TATMA1, 600 В, 10 А, D2PAK — набор 10 шт.В наличии
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор Infineon Technologies IGB10N60TATMA1 в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа. Устройство рассчитано на рабочее напряжение 600 В и ток коллектора 10 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Ток коллектора: 10 А
- Рассеиваемая мощность: 110 Вт
- Корпус: D2PAK
- Тип монтажа: Поверхностный
- Количество в комплекте: 10 шт.
Технические параметры
Транзистор типа IGBT имеет максимальную рассеиваемую мощность 110 Вт. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В, а допустимое напряжение на затворе — ±20 В. Эти характеристики определяют границы безопасной эксплуатации компонента в электрических цепях.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе D2PAK. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Комплектация
Товар поставляется набором из 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 10 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 000 ₴