Диодный модуль GeneSiC GD2X100MPS06N, 650 В, 108 А, SOT227B
3 360 ₴
- В наличии
- Код: TM153533
Диодный модуль GeneSiC GD2X100MPS06N, 650 В, 108 А, SOT227BВ наличии
3 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Диодный модуль GeneSiC GD2X100MPS06N — это полупроводниковый компонент с технологией SiC.
- Технология SiC
- Максимальное обратное напряжение 650 В
- Ток проводимости 108 А на канал
- Время восстановления 10 нс
- Корпус SOT227B с винтовым монтажом
Высокое напряжение и ток
Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 650 В и номинальный ток проводимости 108 А на канал.
Технология SiC и скорость
Технология SiC. Время восстановления компонента составляет 10 нс.
Конструкция и монтаж
Модуль имеет двойную независимую структуру и выполнен в корпусе SOT227B. Механический и электрический монтаж осуществляется с помощью винтового крепления.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 650 В |
| Максимальное прямое напряжение | 1.8 В |
| Производитель | MPS |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 10 нс |
| Корпус | SOT227B |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 3 360 ₴