Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD10PJX65F1S, 650V, 10A, корпус F1.1
3 010 ₴
- В наличии
- Код: TM153532
Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD10PJX65F1S, 650V, 10A, корпус F1.1В наличии
3 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT модуль STARPOWER GD10PJX65F1S — полупроводниковый компонент. Объединяет IGBT транзистор и диод в корпусе F1.1.
- Максимальное обратное напряжение 650 В
- Номинальный ток коллектора 10 А
- Максимально допустимый ток коллектора 20 А
- Корпус F1.1
- Технология Trench FS IGBT
- Встроенный NTC термистор
Технология
Модуль использует технологию Trench FS IGBT.
Электрические параметры
Ток коллектора (Ic): 10 А. Максимально допустимый ток коллектора: 20 А. Максимальное обратное напряжение: 650 В.
Монтаж
Тип монтажа: вставной (plug-in).
Топология и состав
Топология: boost chopper, трехфазный диодный мост, трехфазный IGBT мост с выходом OE. Присутствует NTC термистор.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Тип монтажа | Вставной |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | F1.1 |
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Информация для заказа
- Цена: 3 010 ₴