Транзистор NEXPERIA GAN041-650WSBQ GaN HEMT 650V 33.4A

Транзистор NEXPERIA GAN041-650WSBQ — это полупроводниковый прибор на основе технологии GaN. Он сочетает структуру N-JFET и N-MOSFET в каскадном исполнении с параметрами 650 В и 33,4 А.

• Технология GaN (нитрид галлия)
• Напряжение сток-исток 650 В
• Ток стока 33,4 А
• Сопротивление в открытом состоянии 35 мОм
• Импульсный ток 240 А
• Корпус SOT429, TO247

Высокое напряжение и ток

Прибор рассчитан на напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 33,4 А.

Параметры GaN-структуры

Благодаря технологии GaN и структуре HEMT, устройство имеет сопротивление в открытом состоянии — 35 мОм.

Импульсная мощность и монтаж

Транзистор способен выдерживать импульсный ток стока до 240 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 187 Вт,