Транзистор N/P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G4616, 40 В, 8 А, SOP8, комплект 30 шт. (G4616-GFS)

Комплект из 30 транзисторов GOFORD SEMICONDUCTOR G4616 типа N/P-MOSFET в корпусе SOP8. Монтаж на поверхность (SMD).

• Комплект из 30 транзисторов
• Тип: N/P-MOSFET, Trench
• Напряжение сток-исток: 40/-40 В
• Ток стока: 8/-7 А
• Мощность рассеивания: 2/2,8 Вт
• Корпус: SOP8, монтаж SMD

Тип и структура

Транзисторы имеют структуру N/P-MOSFET с технологией Trench и обогащенным каналом. Набор содержит N-канальные и P-канальные транзисторы.

Электрические параметры

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 40 В (для N-канала) и -40 В (для P-канала). Ток стока достигает 8 А для N-канала и -7 А для P-канала. Рассеиваемая мощность транзисторов составляет 2 Вт для N-канала и 2,8 Вт для P-канала.

Управление и заряд затвора

Напряжение между затвором и истоком ограничено ±20 В. Заряд затвора равен 12 нКл для N-канала и 13 нКл для P-канала.